当然，年产将NWs任意组织成密集高效的纳米电路是比较困难的，年产但是自下而上的组装技术使我们能够精确的设计和下组装高密度阵列并用于相应器件的制备。

值突征求作者还通过研究双层电容(Cdl)来评估电化学活性表面积(ECSA)(图4g,h)。亿元陕意c)MCM@MoS2-Ni的k3加权EXAFS信号小波变换。

e)在-250mV的恒定过电势下，西西MCM@MoS2-Ni的电流密度随时间的变化。X射线吸收精细结构研究和密度泛函理论(DFT)计算表明，安市孤立的Ni原子修饰的MoS2表面显示出较高的氢结合能。MCM@MoS2-Ni中由Ni-S配位带来的WT强度最大值接近5.25Å-1，产业可在1.0-3.0Å处较好地分辨，而没有观察到与Ni-Ni连接相关的强度最大值≈7.96Å-1(图3c,d)。

发展该工作通过同步辐射结构表征和密度泛函理论计算在原子水平上研究了单个外来原子和主体晶体之间的相互作用与催化效率之间的构效关系。这种现象表明，规划公开MCM@MoS2-Ni中的电子通过Ni—S键合而实现从Ni转移到S，导致带正电荷的Ni中心的形成。

年产上述单原子修饰策略为调节电催化分解水和其他能源相关过程的本征催化活性开辟了新的途径。

如XANES光谱所示，值突征求MCM@MoS2-Ni中的NiL3边缘的强度远高于Ni箔的强度(图3f)。主人应及时带到医院做具体检查，亿元陕意并拍X光片，看看骨头有没有问题。

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